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[发明专利]氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的电解制造装置以及制造方法-CN201610322530.7有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一;古仲充之 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C25D11/34 文献下载
摘要：一种通过电解法制造氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的方法，其目的在于，通过使电解液的电导率为10mS/cm以上来进行电解，使氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物在电解液中析出，并且洗涤析出的氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物
氢氧化化合物电解制造装置以及方法

[发明专利]氢氧化铟的制造方法-CN201610323231.5有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一;古仲充之 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：一种通过电解法制造氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的方法，其目的在于，通过使电解液的电导率为10mS/cm以上来进行电解，使氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物在电解液中析出，并且洗涤析出的氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物
氢氧化制造方法

[发明专利]氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的制造方法-CN201280027688.1有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一;古仲充之 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：一种通过电解法制造氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物的方法，其目的在于，通过使电解液的电导率为10mS/cm以上来进行电解，使氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物在电解液中析出，并且洗涤析出的氢氧化铟或含氢氧化铟的化合物
氢氧化化合物制造方法

[发明专利]一种立方氢氧化铟薄膜及其制备方法-CN201410250924.7有效
发明人：于乃森 -专利权人：大连民族学院
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种立方氢氧化铟薄膜，其是由氮化铟基体和生长于氮化铟表面的立方氢氧化铟层组成，该立方氢氧化铟层由形貌为立方体的纳米氢氧化铟晶体组成。该纳米氢氧化铟晶体的平均尺寸为150nm。上述立方氢氧化铟薄膜的制备方法：于空气中，将氮化铟薄膜于200℃-300℃加热15-30分钟后，冷却至室温；将摩尔比为1:1的乙酸铵和六次甲基四胺溶于水，制得混合溶液；将步骤①所得的氮化铟基体片浸入步骤本发明制备方法简单、反应温度低并且制备出的产品为性能优越的晶体立方氢氧化铟薄膜。
一种立方氢氧化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高分散性氧化铟及其制备方法-CN202011524758.7在审
发明人：王权;朱刘;邵学亮;曾嘉豪;李永鹏 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高分散性氧化铟及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)以金属铟为阳极、惰性电极为阴极、硝酸铵水溶液为电解液，通过电解法得到氢氧化铟浆料；b)在步骤a)得到的氢氧化铟浆料中加入硝酸铟溶液，使加入的铟离子与氢氧化铟的质量比在0.01％～1％，并调节pH值为4～8后，进行水热反应，产物经洗涤、干燥，得到高结晶性、高分散性的氢氧化铟粉末；c)将步骤b)得到的高结晶性、高分散性的氢氧化铟粉末进行煅烧，得到高分散性氧化铟。该制备方法采用电解‑水热法联合的方式，成功制备出了尺寸分布均一、高分散性且晶体结构完整的氢氧化铟和氧化铟，克服了一般电解法合成出的细小氢氧化铟粉体制备氧化铟在煅烧过程中易团聚的问题。
一种分散性氧化及其制备方法

[发明专利]一种含铟的铝置换海绵铟后液的综合回收处理方法-CN201711451548.8有效
发明人：张本聪;余树华 -专利权人：云南五鑫实业有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：一种含铟的铝置换海绵铟后液的综合回收处理方法，属湿法冶金领域。本发明采用先氧化钙或氢氧化钙中和含氯铝置换铟后液至pH＝4.5‑5，水解沉淀氢氧化铟，再用氢氧化钠继续中和氢氧化铟过滤液，使与其中的氯化铝反应生成Na3AlO3和其中的氯化钙反应生成氢氧化钙沉淀返回使用，过滤氢氧化钙的滤液用盐酸中和让Na3AlO3水解生成氢氧化铝沉淀，过滤后浓缩氯化钠滤液并电解，分别回收氯气和氢氧化钠的技术工艺流程，克服了传统技术工艺综合回收及环保治理不彻底的缺点。
一种置换海绵铟后液综合回收处理方法

[发明专利]一种电池级氢氧化铟及其制备方法与应用-CN202110557611.6有效
发明人：张波;王权;朱刘;童培云;何坤鹏 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池级氢氧化铟的制备方法，包括：将硝酸铟溶液和氨水通过共沉淀制得氢氧化铟浆料；将氢氧化铟浆料用去离子水洗涤至上清液的电导率小于100μs/cm，烘干，制得氢氧化铟粉体；对氢氧化铟粉体进行辊压处理或气流粉碎处理，即得平均粒径D90为20～50μm，振实体积为80～120mL/100g的电池级氢氧化铟；所述辊压处理的辊轮间距为0.1～0.2mm，辊轮的运行速度为0.5～1.0cm/s；所述气流粉碎处理的粉碎腔气压为本发明的制备方法容易操控，工艺简单，容易实施，适合大规模工业化生产，制备过程无需添加其它助剂，成本低，所制备氢氧化铟粉体的纯度高，形貌均一，粒度分布均匀。
一种电池氢氧化及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米级氢氧化铟及其制备方法-CN202011536582.7在审
发明人：王权;朱刘;邵学亮;曾嘉豪;李永鹏 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米级氢氧化铟及其制备方法；该制备方法包括以下步骤：a)在氢氧化铟浆料中加入含铟溶液，使加入的铟离子与氢氧化铟的质量比为0.01％～1％，并调节体系的pH为4～8，然后进行水热反应；再将得到的产物经过离心、洗涤和干燥，得到纳米级氢氧化铟。与现有技术相比，本发明提供的制备方法采用水热法处理氢氧化铟浆料，通过控制反应体系中铟离子的含量和pH值的变化，合成出纳米级立方体形貌的氢氧化铟，产品形貌结构完整、尺寸分布均一且流动性良好；同时，不使用添加剂
一种纳米氢氧化及其制备方法

[发明专利]负极电极复合材料其制法及使用其的电化学装置-CN201010164279.9无效
发明人：周更生;高振裕;蔡昀儒 -专利权人：国立清华大学
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01M4/24 文献下载
摘要：一种负极电极复合材料，包括：复数个铁氧化物粒子；以及一导电助剂，选自由铜、钴、镍、锡、锑、铋、铟、银、金、铅、镉、碳黑、石墨、铜盐、钴盐、镍盐、锡盐、锑盐、铋盐、铟盐、银盐、金盐、铅盐、镉盐、氢氧化铜、氢氧化钴、氢氧化镍、氢氧化锡、氢氧化锑、氢氧化铋、氢氧化铟、氢氧化银、氢氧化金、氢氧化铅、氢氧化镉及其组合所组成的群组。
负极电极复合材料制法使用电化学装置

[发明专利]一种含锡酸铟的银氧化锡电触头材料的制备方法-CN201410844381.1有效
发明人：张天锦;叶凡;王振宇;陈光明;李耀林 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含锡酸铟的银氧化锡电触头材料的制备方法，具体为：按照所需要制备的含锡酸铟的银氧化锡电触头的材料配比计算所需的氧化锡粉、硝酸铟和硝酸银的用量，根据硝酸铟的用量计算氢氧化钠的用量，以氢氧化钠A表示；根据硝酸银的用量计算氢氧化钠的用量，以氢氧化钠B表示；称取备用；将称取的物质分别配成溶液，将氧化锡粉分成两份，氧化锡粉A和氧化锡粉B；将氢氧化钠A与含氧化锡粉A的硝酸铟悬浮液反应得到氢氧化铟和氧化锡复合粉，复合粉煅烧、球磨后得到锡酸铟粉，将其加入到氧化锡粉B和硝酸银溶液形成的悬浮液与氢氧化钠B反应得到氧化银、氧化锡和锡酸铟复合粉；该复合粉水洗，干燥、焙烧后经成型、烧结，复压、复烧，即得。
一种含锡酸铟氧化锡电触头材料制备方法

[发明专利]一种含锡酸铟的银氧化锡电触头材料的加工方法-CN201410840607.0有效
发明人：张天锦;叶凡;王振宇;陈光明;李耀林 -专利权人：桂林电器科学研究院有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含锡酸铟的银氧化锡电触头材料的加工方法，具体为：按照所需要制备的含锡酸铟的银氧化锡电触头的材料配比计算所需的氧化锡粉、硝酸铟和硝酸银的用量，根据硝酸铟的用量计算氢氧化钠的用量，以氢氧化钠A表示；根据硝酸银的用量计算氢氧化钠的用量，以氢氧化钠B表示；称取备用；将称取的物质分别配成溶液，将氧化锡粉分成两份，氧化锡粉A和氧化锡粉B；将氢氧化钠A与含氧化锡粉A的硝酸铟悬浮液反应得到氢氧化铟和氧化锡复合粉，复合粉煅烧、球磨后得到锡酸铟粉，并将其加入到氧化锡粉B和硝酸银溶液形成的悬浮液与氢氧化钠B反应得到氧化银、氧化锡和锡酸铟复合粉；该复合粉水洗，干燥、焙烧后经成型、烧结、挤压工序，即得。
一种含锡酸铟氧化锡电触头材料加工方法

[发明专利]一种管状氢氧化铟/氧化铟微纳材料的合成方法-CN201610291568.2在审
发明人：沈明;邵美玲;周慧;王文书 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种管状氢氧化铟/氧化铟微纳材料的合成方法，涉及半导体材料的生产技术领域，本发明以尿素为沉淀剂提供氢氧根，采用十六烷基三甲基溴化铵与草酸共同形成的复合软模板，采用常压回流法，所得氧化铟微纳材料与前驱体氢氧化铟形貌保持一致，达到了氢氧化铟/氧化铟微纳材料形貌控制合成的目的。
一种管状氢氧化氧化铟微纳材料合成方法

[发明专利]利用还原气氛制备纳米ITO粉末的工艺-CN201310740647.3无效
发明人：陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 -专利权人：柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明涉及ITO粉末的制备，具体说是利用还原气氛制备纳米ITO粉末的工艺，其包括将铟锡合金粉末加入硝酸溶液中，再加入氢氧化钠，加热搅拌，反应生成铟锡氢氧化物沉淀溶液；离心分离沉淀溶液，得到铟锡氢氧化物；用水洗涤铟锡氢氧化物，真空干燥；将干燥后的铟锡氢氧化物置于还原气氛下进行热处理，得到纳米ITO粉末。本发明以铟锡合金为原料，制备的ITO粉末的粒径均匀，并利用还原气氛制成纳米ITO粉末，不仅电阻较小，而且节能、安全。
利用还原气氛制备纳米 ito 粉末工艺

[发明专利]高纯度铟化合物的制造方法及其应用-CN00112458.7无效
发明人：牛澄波 -专利权人：袁福寅
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度铟化合物的制造方法及其应用,铟锭用水淬法制成铟粒,经酸解和提纯制得氢氧化铟,氢氧化铟氧化锻烧得纯度为99.99%—99.999%氧化铟,由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成无汞碱锰电池的代汞剂,高纯度铟盐可应用于镀铟集流体铜钉生产中的,它们应用于电池工业,从而保证了其在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。
纯度化合物制造方法及其应用

[发明专利]一种具有中空球状结构的氢氧化铟纳米材料的制备方法-CN202010903846.1有效
发明人：李银艳 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，提供了一种具有中空球状结构的氢氧化铟纳米材料的制备方法，将四丁基氢氧化铵作为形成氢氧化铟沉淀的沉淀剂，同时也作为形成具有中空球状结构的氢氧化铟纳米材料时所需的模版剂，与铟盐或者被稀土金属盐掺杂的铟盐，在反应温度为60～80℃，反应时间为10～20min条件下进行微波反应，最终得到具有中空球状结构的氢氧化铟纳米材料。实验结果表明，利用本发明提供的制备方法得到的氢氧化铟纳米材料具有中空球状结构。
一种具有中空球状结构氢氧化纳米材料制备方法

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